uvled原理是什么？什么是1UVLED消耗功率？

uvled原理是什么？什么是1uvled消耗功率？

1UVLED發(fā)光機原理：PN結(jié)的端電壓構(gòu)成一定的勢壘。 當正向偏置電壓時勢壘減小時，P和N區(qū)域中的多數(shù)載流子彼此擴散。 由于電子遷移率的遷移率遠大于空穴的遷移率，因此大量電子將擴散到P區(qū)，從而在P區(qū)中注入少數(shù)載流子。 這些電子與價帶中的空穴復(fù)合，并且在復(fù)合期間獲得的能量以光能的形式釋放。 這就是PN結(jié)發(fā)光的原理。
2.UVLED發(fā)光效率：通常稱為組件的外部量子效率，是組件內(nèi)部的量子效率與組件的提取效率的乘積。 所謂的模塊內(nèi)部量子效率實際上就是模塊本身的電光轉(zhuǎn)換效率，這主要與模塊本身的特性（例如能帶，模塊材料的缺陷和雜質(zhì)）有關(guān)。），勢壘晶體的組成和模塊的結(jié)構(gòu)。 組件的提取效率是指組件內(nèi)部生成的光子數(shù)，在組件自身被吸收，折射和反射后，可以實際在組件外部進行測量。 因此，與提取效率相關(guān)的因素包括成分材料本身的吸收，成分的幾何結(jié)構(gòu)，成分和包裝材料的折射率差以及成分結(jié)構(gòu)的散射特性。 組件的內(nèi)部量子效率與組件的提取效率的乘積是整個組件的發(fā)光效果，即組件的外部量子效率。 早期組件開發(fā)的重點是改善其內(nèi)部量子效率。 主要方法是提高勢壘晶體的質(zhì)量并改變勢壘晶體的結(jié)構(gòu)，使電能不易轉(zhuǎn)化為熱量，從而間接提高了UVLED的發(fā)光效率，從而獲得了70％的剩余能量。 正確的理論內(nèi)部量子效率，但是這樣的內(nèi)部量子效率幾乎接近理論極限。 在這樣的條件下，僅通過增加模塊內(nèi)部量子效率就不可能增加模塊的總光量，因此提高模塊的提取效率已成為重要的研究課題。 目前的方法主要是：晶粒形狀的變化TIP結(jié)構(gòu)，表面粗糙化技術(shù)。

3，UVLED電氣特性：電流控制裝置，負載特性UI曲線類似于PN結(jié)，正向方向的很小變化導(dǎo)通電壓會引起正向電流（指數(shù)級）的大變化，反向漏電流非常小，反向擊穿電壓。 在實際使用中，應(yīng)該選擇。UVLED正向電壓隨著溫度的升高而變小，負溫度系數(shù)。UVLED消耗功率，其中一部分被轉(zhuǎn)換為光能，這是我們所需要的。 其余部分轉(zhuǎn)化為熱量，從而提高了結(jié)溫。 散發(fā)的熱量（功率）可以表示為。
4，UVLED光學(xué)特性：UVLED提供大寬度的單色光。 由于半導(dǎo)體的能隙隨著溫度的升高而減小，因此其發(fā)射的峰值波長會隨著溫度的升高而升高，也就是說，光譜的紅移溫度系數(shù)為+ 2?3A /。UVLED發(fā)光亮度L和正向電流。 隨著電流的增加，發(fā)光亮度也大約增加。 另外，發(fā)光亮度也與環(huán)境溫度有關(guān)。 當環(huán)境溫度高時，復(fù)合效率降低并且發(fā)光強度降低。
5，UVLED熱學(xué)特性：小電流下LED溫升不明顯。 如果環(huán)境溫度高，UVLED的主波長將發(fā)生紅移，亮度將降低，并且光的均勻性和均勻性將降低。 尤其是，點矩陣和大型顯示屏的溫度上升對LED的可靠性和穩(wěn)定性具有更大的影響。 因此散熱設(shè)計非常重要。
6，UVLED壽命：UVLED長時間工作會導(dǎo)致老化，特別是對于高功率的UVLED，光衰的問題更加嚴重。 在測量UVLED的壽命時，僅將燈的損壞視為UVLED壽命的終點是不夠的。LED的壽命應(yīng)通過UVLED的光衰減百分比來指定，例如35％，這更有意義。
7.大功率UVLED包裝：主要考慮散熱和發(fā)光。 關(guān)于散熱，請使用銅基熱襯，然后連接至鋁基散熱器。 芯片和散熱片通過焊接連接。 這種散熱方法效果更好，性價比更高。 在發(fā)光方面，采用倒裝芯片技術(shù)，在底部和側(cè)面增加反射面以反射浪費的光能，從而可獲得更多的消光光。

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